IRF520PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF520PBF

निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.IRF520PBF.pdf
2.IRF520PBF.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

270 mOhm @ 5.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

60W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

*IRF520PBF

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

18 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

360pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9.2A (Tc)

निम्नलिखित "IRF520PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF520S

विवरण: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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