IRF540STRRPBF

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भाग संख्या

IRF540STRRPBF

निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRF540STRRPBF.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D²PAK (TO-263)

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

77 mOhm @ 17A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

IRF540STRRPBF-ND
IRF540STRRPBFTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

18 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1700pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

72nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

28A (Tc)

निम्नलिखित "IRF540STRRPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF540N_R4942

विवरण: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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