IRF830AS

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF830AS
निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRF830AS.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.4 Ohm @ 3A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.1W (Ta), 74W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

*IRF830AS
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

620pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

24nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500V
विस्तृत विवरण

N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5A (Tc)

निम्नलिखित "IRF830AS" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF830ASPBF

विवरण: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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