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IRFBF20LPBF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRFBF20LPBF
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    I2PAK
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    8 Ohm @ 1A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    3.1W (Ta), 54W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • दुसरे नाम
    *IRFBF20LPBF
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    490pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    38nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    900V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.7A (Tc)
IRFBE30LPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBF20

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

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IRFBE30SPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBE30S

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBF20STRLPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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IRFBF20SPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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IRFBF30PBF

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB

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IRFBF20STRR

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

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