IRFR110TRR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFR110TRR
निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRFR110TRR.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

540 mOhm @ 2.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta), 25W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

180pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

8.3nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.3A (Tc)

निम्नलिखित "IRFR110TRR" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFR110TRRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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