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3605263NSB8BT-E3/45 छविElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8BT-E3/45

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSB8BT-E3/45
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 8A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    100V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-263AB
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 100V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    8A
  • समाई @ वीआर, एफ
    55pF @ 4V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    NSB8B
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

विवरण: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

विवरण: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8DTHE3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8DTHE3/81

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8BTHE3_A/P

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8ATHE3/81

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विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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