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SI1050X-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI1050X-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    900mV @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±5V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SC-89-6
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    236mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    SI1050X-T1-GE3CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    33 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    585pF @ 4V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    11.6nC @ 5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    8V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    1.34A (Ta)
SI1054X-T1-GE3

SI1054X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1046R-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1054X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1058X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V SC89

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1060-A-GMR

SI1060-A-GMR

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1039X-T1-GE3

SI1039X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1060-A-GM

SI1060-A-GM

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1037X-T1-GE3

SI1037X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1040X-T1-E3

SI1040X-T1-E3

विवरण: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1040X-T1-GE3

SI1040X-T1-GE3

विवरण: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1051X-T1-E3

SI1051X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1037X-T1-E3

SI1037X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1039X-T1-E3

SI1039X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1056X-T1-GE3

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विवरण: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

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