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SI1069X-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI1069X-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1.5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±12V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SC-89-6
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    184 mOhm @ 940mA, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    236mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    SI1069X-T1-GE3TR
    SI1069XT1GE3
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    308pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    6.86nC @ 5V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    2.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    -
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1067X-T1-GE3

SI1067X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V SC89

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI1063-A-GMR

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विवरण: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 20V SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

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