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SI3879DV-T1-GE3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SI3879DV-T1-GE3
निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SI3879DV-T1-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-TSOP
शृंखला

LITTLE FOOT®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2W (Ta), 3.3W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

480pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14.5nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

2.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5A (Tc)

निम्नलिखित "SI3879DV-T1-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।

SI3861BDV-T1-GE3

विवरण: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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