SI4056DY-T1-GE3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SI4056DY-T1-GE3

निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

SI4056DY-T1-GE3.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.8V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO

शृंखला

TrenchFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

23 mOhm @ 15A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

पैकेजिंग

Original-Reel®

पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

दुसरे नाम

SI4056DY-T1-GE3DKR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

900pF @ 50V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

29.5nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11.1A (Tc)

निम्नलिखित "SI4056DY-T1-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।

SI4031-B1-FMR

विवरण: IC TX 240-930MHZ -8-13DB 20QFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)

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