SI4406DY-T1-GE3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SI4406DY-T1-GE3
निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SI4406DY-T1-GE3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO
शृंखला

TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.5 mOhm @ 20A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.6W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

50nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 13A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

13A (Ta)

निम्नलिखित "SI4406DY-T1-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।

SI4401DY-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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