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SI9926CDY-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI9926CDY-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1.5V @ 250µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • पावर - मैक्स
    3.1W
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    SI9926CDY-T1-GE3CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    27 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1200pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    33nC @ 10V
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • FET फ़ीचर
    Logic Level Gate
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    8A
  • आधार भाग संख्या
    SI9926
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

विवरण: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

विवरण: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

विवरण: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

विवरण: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

विवरण: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

विवरण: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

विवरण: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

विवरण: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SI9936DY

SI9936DY

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
SI9936DY,518

SI9936DY,518

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में

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