इलेक्ट्रॉनिका 2024 में आगंतुकों के लिए

अब अपना समय बुक करें!

यह सब लेता है कि आपकी जगह आरक्षित करने और बूथ टिकट प्राप्त करने के लिए कुछ क्लिक हैं

हॉल C5 बूथ 220

अग्रिम पंजीकरण

इलेक्ट्रॉनिका 2024 में आगंतुकों के लिए
आप सभी साइन अप करते हैं! एक नियुक्ति करने के लिए धन्यवाद!
एक बार जब हम आपके आरक्षण को सत्यापित कर चुके हैं, तो हम आपको ईमेल द्वारा बूथ टिकट भेजेंगे।
घर > उत्पाद > असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद > ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल > SIHA6N80E-GE3
RFQs/आदेश (0)
हिंदी
हिंदी
3434868SIHA6N80E-GE3 छविElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHA6N80E-GE3

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

संदर्भ मूल्य (यूएस डॉलर में)

स्टॉक में
1+
$2.88
10+
$2.605
100+
$2.093
500+
$1.628
1000+
$1.349
जांच ऑनलाइन
विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIHA6N80E-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SIHA6N80E-GE3.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220 Full Pack
  • शृंखला
    E
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    31W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    827pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    44nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5.4A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

एंथ्रोपिक अमेज़ॅन से एक और $ 4 बिल...

2024/11/23

सेमी: आईसी बिक्री में 12% की वृद...

2024/11/22

यह बताया गया है कि Kioxia को 22 नवंबर ...

2024/11/21

टॉवर सेमीकंडक्टर के नवीनतम सिलि...

2024/11/20

उद्योग धीरे -धीरे ठीक हो जाता है।...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

आपूर्तिकर्ता: RTX 50 श्रृंखला GPU घट...

2024/11/18

ताइवान, चीन सेमीकंडक्टर का आउटपु...

2024/11/17

OLED पैनलों के उत्पादन का विस्तार, ...

2024/11/15

अमेज़ॅन एनवीडिया पर निर्भरता को ...

2024/11/14

Pegatron का Q3 शुद्ध लाभ NT $ 4.296 बिलियन ...

2024/11/13
शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "SIHA6N80E-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA24N65EF-E3

SIHA24N65EF-E3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA22N60EL-E3

SIHA22N60EL-E3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA22N60E-E3

SIHA22N60E-E3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

निर्माता: Vishay Siliconix
स्टॉक में
RFQ
SIHA240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
एकमात्र सार्वजनिक खुले बाजार वितरक के रूप में, हमारे पास वैश्विक पहुंच, विनिर्माण उद्योग विशेषज्ञता और सिद्ध गुणवत्ता का एक अनूठा संयोजन है।इसके साथ, हम इलेक्ट्रॉनिक्स घटकों सोर्सिंग और इन्वेंट्री प्रबंधन के लिए अनुकूलित, एंड-टू-एंड सप्लाई चेन सॉल्यूशंस बना सकते हैं।
हमारे पर का पालन करें
नियम एवं शर्तेंउल्लंघन नीतिएक उद्धरण का अनुरोध करेंहमारे बारे मेंसंपर्क करेंस्थल मानचित्र

भाषा चुनिए

बाहर निकलने के लिए स्थान पर क्लिक करें

वर्तमान भाषा

अपना देश या क्षेत्र चुनें।