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SIR892DP-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIR892DP-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.6V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerPAK® SO-8
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    3.2 mOhm @ 10A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    5W (Ta), 50W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    PowerPAK® SO-8
  • दुसरे नाम
    SIR892DP-T1-GE3TR
    SIR892DPT1GE3
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2645pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    60nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    25V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 25V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    50A (Tc)
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

विवरण: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

निर्माता: Everlight Electronics
स्टॉक में
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 30V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIRA12BDP-T1-GE3

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विवरण: MOSFET N-CHAN 30V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIR880ADP-T1-GE3

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विवरण: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

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