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SISS65DN-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SISS65DN-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.3V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerPAK® 1212-8S
  • शृंखला
    TrenchFET® Gen III
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    4.6 mOhm @ 15A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    PowerPAK® 1212-8S
  • दुसरे नाम
    SISS65DN-T1-GE3CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    4930pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    138nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 30V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    25.9A (Ta), 94A (Tc)
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 125V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 150V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISNAP915DK

SISNAP915DK

विवरण: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISNAP915EK

SISNAP915EK

विवरण: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
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SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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