SIZ350DT-T1-GE3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SIZ350DT-T1-GE3

निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

SIZ350DT-T1-GE3.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.4V @ 250µA

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-Power33 (3x3)

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6.75 mOhm @ 15A, 10V

पावर - मैक्स

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerWDFN

दुसरे नाम

SIZ350DT-T1-GE3CT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

32 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

940pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20.3nC @ 10V

FET प्रकार

2 N-Channel (Dual)

FET फ़ीचर

Standard

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

18.5A (Ta), 30A (Tc)

निम्नलिखित "SIZ350DT-T1-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।

SIZ340DT-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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