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SI8261BAD-C-IS

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI8261BAD-C-IS
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज आपूर्ति
    6.5 V ~ 30 V
  • वोल्टेज - अलगाव
    5000Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    2.8V (Max)
  • प्रौद्योगिकी
    Capacitive Coupling
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    6-SDIP
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    5.5ns, 8.5ns
  • पल्स चौड़ाई विरूपण (मैक्स)
    28ns
  • प्रचार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (मैक्स)
    60ns, 50ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C
  • चैनलों की संख्या
    1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
  • वर्तमान - पीक उत्पादन
    4A
  • वर्तमान - आउटपुट हाई, लो
    500mA, 1.2A
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    30mA
  • आम मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम)
    35kV/µs
  • स्वीकृति
    CQC, CSA, UR, VDE
SI8261BAC-C-IPR

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विवरण: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA

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