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572796SI8273DBD-IS1 छविEnergy Micro (Silicon Labs)

SI8273DBD-IS1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI8273DBD-IS1
  • निर्माता / ब्रांड
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SI8273DBD-IS1.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    9.6 V ~ 30 V
  • वोल्टेज - अलगाव
    2500Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    -
  • प्रौद्योगिकी
    Capacitive Coupling
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    16-SOIC
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    10.5ns, 13.3ns
  • पल्स चौड़ाई विरूपण (मैक्स)
    8ns
  • प्रचार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (मैक्स)
    75ns, 75ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    336-3539-5
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C
  • चैनलों की संख्या
    2
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2A (4 Weeks)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC
  • वर्तमान - पीक उत्पादन
    4A
  • वर्तमान - आउटपुट हाई, लो
    1.8A, 4A
  • आम मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम)
    200kV/µs
  • स्वीकृति
    CQC, CSA, UR, VDE
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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SI8273BB-IS1R

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SI8273BBD-IS1

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SI8273ABD-IMR

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SI8274AB1-IMR

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SI8273DB-IS1R

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SI8273GB-IS1R

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SI8274AB1-IM1

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SI8273ISO-KIT

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SI8274AB1-IM

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