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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N1186AR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 40A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-5
  • गति
    -
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • दुसरे नाम
    1242-1110
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 190°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis, Stud Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard, Reverse Polarity
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 40A Chassis, Stud Mount DO-5
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 50V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    40A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
  • आधार भाग संख्या
    1N1186AR
1N1185R

1N1185R

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निर्माता: Microsemi
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1N1187

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विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N1188

विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N1185AR

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विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 40A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N1186A

विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N1188

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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1N1187R

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विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N1184R

विवरण: STANDARD RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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विवरण: DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

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विवरण: DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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1N1186

1N1186

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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1N1187AR

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निर्माता: Microsemi
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1N1186R

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निर्माता: Microsemi
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5

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