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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N3890R
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Standard, Reverse Polarity
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    12A
  • वोल्टेज - टूटने
    DO-4
  • शृंखला
    -
  • RoHS स्थिति
    Bulk
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    -
  • ध्रुवीकरण
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • दुसरे नाम
    1N3890RGN
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    200ns
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis, Stud Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    1N3890R
  • विस्तारित विवरण
    Diode Standard, Reverse Polarity 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • डायोड विन्यास
    25µA @ 50V
  • विवरण
    DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.4V @ 12A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    100V
  • समाई @ वीआर, एफ
    -65°C ~ 150°C
1N3892A

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निर्माता: Microsemi
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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निर्माता: Microsemi
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

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विवरण: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

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