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1N3892R

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N3892R
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.4V @ 12A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-4
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    200ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • दुसरे नाम
    1242-1092
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis, Stud Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard, Reverse Polarity
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard, Reverse Polarity 400V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    25µA @ 50V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    12A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
  • आधार भाग संख्या
    1N3892R
1N3893

1N3893

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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1N3893AR

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निर्माता: Microsemi
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1N3893A

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N3891R

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N3891AR

1N3891AR

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N3900R

1N3900R

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N3900

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
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1N3892

1N3892

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

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