GA10JT12-247

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विशेष विवरण

भाग संख्या

GA10JT12-247
निर्माता / ब्रांड

GeneSiC Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS SJT 1.2KV 10A
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

GA10JT12-247.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

-
वीजीएस (मैक्स)

-
प्रौद्योगिकी

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-247AB
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

140 mOhm @ 10A
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

170W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-247-3
दुसरे नाम

1242-1187
GA10JT12247
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
FET प्रकार

-
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

1200V
विस्तृत विवरण

1200V 10A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Tc)

निम्नलिखित "GA10JT12-247" संबंधित उत्पाद हैं।

GA10JT12-263

विवरण: TRANS SJT 1200V 25A

निर्माता: GeneSiC Semiconductor

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