MBR30035CTRL

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MBR30035CTRL
निर्माता / ब्रांड

GeneSiC Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

MBR30035CTRL.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

600mV @ 150A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

35V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Twin Tower
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Twin Tower
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Schottky
डायोड विन्यास

1 Pair Common Anode
विस्तृत विवरण

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 150A Chassis Mount Twin Tower
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

3mA @ 35V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)

150A

निम्नलिखित "MBR30035CTRL" संबंधित उत्पाद हैं।

MBR30045CTRL

विवरण: DIODE SCHOTTKY 45V 150A 2 TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor

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