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MBRT60035R

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MBRT60035R
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    750mV @ 300A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    35V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Three Tower
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Three Tower
  • दुसरे नाम
    MBRT60035RGN
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Schottky
  • डायोड विन्यास
    1 Pair Common Anode
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1mA @ 20V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    600A (DC)
MBRT60040RL

MBRT60040RL

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MBRT60045RL

MBRT60045RL

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MBRT60020L

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MBRT60035

MBRT60035

विवरण: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MBRT600200R

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MBRT60035L

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