MBRTA600100R

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MBRTA600100R
निर्माता / ब्रांड

GeneSiC Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE SCHOTTKY 100V 300A 3TOWER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

MBRTA600100R.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

840mV @ 300A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

100V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Three Tower
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Three Tower
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Schottky
डायोड विन्यास

1 Pair Common Anode
विस्तृत विवरण

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 100V 300A Chassis Mount Three Tower
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

1mA @ 100V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)

300A

निम्नलिखित "MBRTA600100R" संबंधित उत्पाद हैं।

MBRTA50060R

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 250A 3TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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