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MSRT20060(A)

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MSRT20060(A)
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.2V @ 200A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Three Tower
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Three Tower
  • दुसरे नाम
    MSRT20060(A)GN
    MSRT20060A
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • डायोड विन्यास
    1 Pair Common Cathode
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    200A (DC)
MSRT200160(A)

MSRT200160(A)

विवरण: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

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MSRT15080(A)

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MSRT200120(A)

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विवरण: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MSRT200140(A)

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विवरण: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

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MSRT25060(A)

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MSRT250120(A)

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MSRT20060(A)D

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