Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

HTNFET-T

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HTNFET-T

निर्माता / ब्रांड

Honeywell Aerospace

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विवरण

MOSFET N-CH 55V 4-PIN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है

डाटा शीट

HTNFET-T.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.4V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

10V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

4-Power Tab

शृंखला

HTMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

400 mOhm @ 100mA, 5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

50W (Tj)

पैकेजिंग

Bulk

पैकेज / प्रकरण

4-SIP

दुसरे नाम

342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 225°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

8 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

290pF @ 28V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.3nC @ 5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V

विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

-

निम्नलिखित "HTNFET-T" संबंधित उत्पाद हैं।

HTNFET-TC

विवरण: MOSFET N-CH 55V 4-PIN

निर्माता: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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