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70V08S35PF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70V08S35PF
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    35ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    100-TQFP (14x14)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    100-LQFP
  • दुसरे नाम
    IDT70V08S35PF
    IDT70V08S35PF-ND
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Kb (64K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 35ns 100-TQFP (14x14)
  • आधार भाग संख्या
    IDT70V08
  • अभिगम समय
    35ns
70V09L20PFI

70V09L20PFI

विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V08S25PFI

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विवरण: IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

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70V08S15PF8

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विवरण: IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V09L15PF8

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V09L20PFGI

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70V09L20PF8

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70V08S25PF

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70V09L20PF

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70V08S20PFI

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70V08S15PF

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70V08S20PF

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70V09L15PFG

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70V09L20PFGI8

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