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70V261S35PFG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70V261S35PFG
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    35ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    100-TQFP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    100-LQFP
  • दुसरे नाम
    IDT70V261S35PFG
    IDT70V261S35PFG-ND
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Kb (16K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 100-TQFP
  • आधार भाग संख्या
    IDT70V261
  • अभिगम समय
    35ns
70V261S25PF8

70V261S25PF8

विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V261L55PF8

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70V261S35PF

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70V26L25JI

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70V261L35PF8

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70V261S25PFI

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70V261S55PF

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70V26L35G

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70V261S35PFG8

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