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70V3569S4DR

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जांच ऑनलाइन

विशेष विवरण

भाग संख्या

70V3569S4DR
निर्माता / ब्रांड

IDT (Renesas Electronics Corporation)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

70V3569S4DR.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

3.15 V ~ 3.45 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

208-PQFP (28x28)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

208-BFQFP
दुसरे नाम

IDT70V3569S4DR
IDT70V3569S4DR-ND
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

576Kb (16K x 36)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 4.2ns 208-PQFP (28x28)
आधार भाग संख्या

IDT70V3569
अभिगम समय

4.2ns

निम्नलिखित "70V3569S4DR" संबंधित उत्पाद हैं।

70V3569S5BFI

विवरण: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)

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अग्रिम पंजीकरण

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