IDT71T75602S200BGI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IDT71T75602S200BGI
निर्माता / ब्रांड

IDT (Renesas Electronics Corporation)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IDT71T75602S200BGI.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

2.375 V ~ 2.625 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Synchronous ZBT
प्रदायक डिवाइस पैकेज

119-PBGA (14x22)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

119-BGA
दुसरे नाम

71T75602S200BGI
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

18Mb (512K x 36)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.2ns 119-PBGA (14x22)
घड़ी आवृत्ति

200MHz
आधार भाग संख्या

IDT71T75
अभिगम समय

3.2ns

निम्नलिखित "IDT71T75602S200BGI" संबंधित उत्पाद हैं।

IDT71T75602S200PFI

विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)

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