IDT71V35761SA200BQI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IDT71V35761SA200BQI
निर्माता / ब्रांड

IDT (Renesas Electronics Corporation)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

1.IDT71V35761SA200BQI.pdf
2.IDT71V35761SA200BQI.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

3.135 V ~ 3.465 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

165-CABGA (13x15)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

165-TBGA
दुसरे नाम

71V35761SA200BQI
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

4.5Mb (128K x 36)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-CABGA (13x15)
घड़ी आवृत्ति

200MHz
आधार भाग संख्या

IDT71V35761
अभिगम समय

3.1ns

निम्नलिखित "IDT71V35761SA200BQI" संबंधित उत्पाद हैं।

IDT71V35761SA166BQI

विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)

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अग्रिम पंजीकरण

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