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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS25LP512M-JLLE-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    1.6ms
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-WSON (8x6)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-WDFN Exposed Pad
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    20 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133MHz 8-WSON (8x6)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
IS25LQ010A-JDLE-TR

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विवरण: IC FLASH 1M SPI 80MHZ 8TSSOP

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC FLASH 512M SPI 24TFBGA

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विवरण: IC FLASH 256M SERIAL 24TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON

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विवरण: IC FLASH 256M SERIAL 16SOIC

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विवरण: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

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विवरण: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

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विवरण: IC FLASH 256M SPI 133MHZ

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विवरण: IC FLASH 1M SPI 80MHZ 8TSSOP

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विवरण: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

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विवरण: IC FLASH 1M SPI 80MHZ 8SOIC

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