ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16160B-6T

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS42S16160B-6T
निर्माता / ब्रांड

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

1.IS42S16160B-6T.pdf
2.IS42S16160B-6T.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

3 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

54-TSOP II
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

2 (1 Year)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

256Mb (16M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
घड़ी आवृत्ति

166MHz
अभिगम समय

5.4ns

निम्नलिखित "IS42S16160B-6T" संबंधित उत्पाद हैं।

IS42S16160B-6B-TR

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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