ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42SM16160E-6BLI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS42SM16160E-6BLI
निर्माता / ब्रांड

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IS42SM16160E-6BLI.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM - Mobile
प्रदायक डिवाइस पैकेज

54-TFBGA (8x8)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

54-TFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

256Mb (16M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA (8x8)
घड़ी आवृत्ति

166MHz
अभिगम समय

5.5ns

निम्नलिखित "IS42SM16160E-6BLI" संबंधित उत्पाद हैं।

IS42SM16160E-6BLI-TR

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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