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ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM32800E-6BLI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS42VM32800E-6BLI
निर्माता / ब्रांड

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IS42VM32800E-6BLI.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.95 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM - Mobile
प्रदायक डिवाइस पैकेज

90-TFBGA (8x13)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

90-TFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

256Mb (8M x 32)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
घड़ी आवृत्ति

166MHz
अभिगम समय

5.5ns

निम्नलिखित "IS42VM32800E-6BLI" संबंधित उत्पाद हैं।

IS42VM32400G-6BL

विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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अग्रिम पंजीकरण

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