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IS43DR16640B-3DBI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43DR16640B-3DBI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    IS43DR16640B-3DBI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    84-TWBGA (8x12.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    84-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (64M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    333MHz
  • अभिगम समय
    450ps
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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IS43DR16640A-3DBL

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16640C-25DBLI

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IS43DR16640B-3DBI-TR

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IS43DR16640C-25DBLI-TR

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IS43DR16640B-25DBL

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

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IS43DR16640B-3DBL

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16640C-3DBI-TR

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IS43DR16640B-25EBL

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IS43DR16640B-25EBLI

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IS43DR16640B-25EBL-TR

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IS43DR16640B-3DBLI

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16640B-25DBLI

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

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IS43DR16640C-25DBL

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