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IS43R86400F-5TL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43R86400F-5TL
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS43R86400F-5TL.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    66-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • दुसरे नाम
    706-1552
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • अभिगम समय
    700ps
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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IS43R86400F-5TLI

IS43R86400F-5TLI

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R86400F-6TLI-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R86400E-6BL-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43TR16128A-125KBL-TR

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R86400E-6TLI-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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IS43R86400F-6BL

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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IS43R86400E-6TLI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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IS43TR16128A-125KBL

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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IS43R86400F-6BLI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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IS43R86400F-6BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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IS43R86400F-5TLI-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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IS43R86400E-6BL

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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