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IS45S32400F-7BLA2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS45S32400F-7BLA2
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS45S32400F-7BLA2.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    90-TFBGA (8x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    90-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Mb (4M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    143MHz
  • अभिगम समय
    5.4ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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IS45S32400E-7TLA2

IS45S32400E-7TLA2

विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32400F-7BLA1-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32800D-6BLA1-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32400F-7BLA2-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32400F-6BLA2-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32400F-6BLA1-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS45S32800D-6TLA1

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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IS45S32800D-7BLA1

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS45S32400F-7BLA1

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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IS45S32400F-6BLA2

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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IS45S32400F-7TLA1

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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