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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS46TR16128A-15HBLA2-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.425 V ~ 1.575 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    96-TWBGA (9x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    96-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (128M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns 96-TWBGA (9x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    667MHz
  • अभिगम समय
    20ns
IS46R86400D-6TLA1-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R86400D-6BLA1-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46TR16128A-15HBLA2

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46TR16128A-125KBLA2

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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