ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS49NLC18160-33BI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS49NLC18160-33BI
निर्माता / ब्रांड

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IS49NLC18160-33BI.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

DRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

144-FCBGA (11x18.5)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

144-TFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

288Mb (16M x 18)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 300MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
घड़ी आवृत्ति

300MHz
अभिगम समय

20ns

निम्नलिखित "IS49NLC18160-33BI" संबंधित उत्पाद हैं।

IS49NLC18160-33BLI

विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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