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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC PSRAM 64M PARALLEL 54BGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    PSRAM (Pseudo SRAM)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Mb (4M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    PSRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 70ns
  • अभिगम समय
    70ns
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

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विवरण: IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

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विवरण: IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA

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