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1219337DNA30EM2200PZ छविIXYS Corporation

DNA30EM2200PZ

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DNA30EM2200PZ
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.26V @ 30A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    2200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-263 (D2Pak)
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    DNA30EM2200PZCT
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 2200V 30A Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    40µA @ 2200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    30A
  • समाई @ वीआर, एफ
    7pF @ 700V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    DNA30EM2200
VSKE320-04

VSKE320-04

विवरण: DIODE GP 400V 320A MAGNAPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
AS3PDHM3/87A

AS3PDHM3/87A

विवरण: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
1N4935GHB0G

1N4935GHB0G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

निर्माता: IXYS
स्टॉक में
BYG23MHE3/TR

BYG23MHE3/TR

विवरण: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

निर्माता: IXYS
स्टॉक में
DST860S

DST860S

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B

निर्माता: Hamlin / Littelfuse
स्टॉक में
DSEP60-025A

DSEP60-025A

विवरण: DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD

निर्माता: IXYS
स्टॉक में
FDH333TR

FDH333TR

विवरण: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
MBRB10H60HE3_A/I

MBRB10H60HE3_A/I

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
V20PW60-M3/I

V20PW60-M3/I

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
DNA30E2200PC-TUB

DNA30E2200PC-TUB

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

निर्माता: IXYS
स्टॉक में
VS-10ETF12SLHM3

VS-10ETF12SLHM3

विवरण: DIODES - D2PAK-E3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
STTH2R06

STTH2R06

विवरण:

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
V12P45-M3/86A

V12P45-M3/86A

विवरण: DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
MBRF760 C0G

MBRF760 C0G

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A ITO220AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
SS3P5L-M3/86A

SS3P5L-M3/86A

विवरण: DIODE SCHOTTKY 50V 3A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

विवरण: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

निर्माता: IXYS Corporation
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