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5154630BA892H6770XTSA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BA892H6770XTSA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BA892H6770XTSA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    35V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SCD-80
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    500 mOhm @ 10mA, 100MHz
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-80
  • दुसरे नाम
    BA 892 H6770
    BA 892 H6770-ND
    BA892H6770XTSA1TR
    SP000745044
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard - Single
  • विस्तृत विवरण
    RF Diode Standard - Single 35V 100mA SCD-80
  • वर्तमान - मैक्स
    100mA
  • समाई @ वीआर, एफ
    1.1pF @ 3V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    BA892
BA82902YFVJ-CE2

BA82902YFVJ-CE2

विवरण: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA8391G-TR

BA8391G-TR

विवरण: IC COMPARATOR OPEN 5-SSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA885E7631HTMA1

BA885E7631HTMA1

विवरण: DIODE RF SOT23

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA895H6327XTSA1

BA895H6327XTSA1

विवरण: DIODE RF SW 50V 50MA SCD80

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA82904YFVM-CTR

BA82904YFVM-CTR

विवरण: EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA8522RFVM-TR

BA8522RFVM-TR

विवरण: IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA82904YF-CE2

BA82904YF-CE2

विवरण: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA8522RFV-E2

BA8522RFV-E2

विवरण: IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA891,115

BA891,115

विवरण: DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA892H6127XTSA1

BA892H6127XTSA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA82902YFV-CE2

BA82902YFV-CE2

विवरण: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA8522RF-E2

BA8522RF-E2

विवरण: IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

विवरण: DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA82902YFJ-CE2

BA82902YFJ-CE2

विवरण: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
BA89502VH6327XTSA1

BA89502VH6327XTSA1

विवरण: DIODE GEN PURP SC79-2

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA892H6433XTMA1

BA892H6433XTMA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA89202VH6127XTSA1

BA89202VH6127XTSA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

विवरण: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

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