International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC042N03S G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSC042N03S G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BSC042N03S G.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 50µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.2 mOhm @ 50A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN
दुसरे नाम

BSC042N03SG
BSC042N03SGINCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3660pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

28nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 20A (Ta), 95A (Tc) 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A (Ta), 95A (Tc)

निम्नलिखित "BSC042N03S G" संबंधित उत्पाद हैं।

BSC0503NSIATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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