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BSC093N04LSGATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSC093N04LSGATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

BSC093N04LSGATMA1.pdf

ईसीएडी मॉडल

वोल्टेज - टेस्ट

1900pF @ 20V

वोल्टेज - टूटने

PG-TDSON-8

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

9.3 mOhm @ 40A, 10V

वीजीएस (मैक्स)

4.5V, 10V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

शृंखला

OptiMOS™

RoHS स्थिति

Cut Tape (CT)

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

13A (Ta), 49A (Tc)

ध्रुवीकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

16 Weeks

उत्पादक हिस्सा करमार्क

BSC093N04LSGATMA1

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

24nC @ 10V

आईजीबीटी प्रकार

±20V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

2V @ 14µA

FET फ़ीचर

N-Channel

विस्तारित विवरण

N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

-

विवरण

MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40V

समाई अनुपात

2.5W (Ta), 35W (Tc)