International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC120N03LSGATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSC120N03LSGATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

BSC120N03LSGATMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

12 mOhm @ 30A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

पैकेजिंग

Original-Reel®

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

BSC120N03LSGATMA1DKR
BSC120N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND
BSC120N03LSGINDKR
BSC120N03LSGINDKR-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1200pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Ta), 39A (Tc)