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International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO080P03SHXUMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSO080P03SHXUMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

BSO080P03SHXUMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±25V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

P-DSO-8

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8 mOhm @ 14.9A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.79W (Ta)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

दुसरे नाम

BSO080P03S H
BSO080P03S H-ND
BSO080P03S HTR-ND
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1TR
SP000613798

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5890pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

136nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12.6A (Ta)