International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP129E6327

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSP129E6327
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

BSP129E6327.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 108µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-SOT223-4
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6 Ohm @ 350mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-261-4, TO-261AA
दुसरे नाम

BSP129
BSP129INTR
SP000011102
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

108pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5.7nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

Depletion Mode
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

0V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

240V
विस्तृत विवरण

N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

350mA (Ta)

निम्नलिखित "BSP129E6327" संबंधित उत्पाद हैं।

BSP125L6327HTSA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

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