International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ120P03NS3EGATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSZ120P03NS3EGATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.1V @ 73µA

वीजीएस (मैक्स)

±25V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TSDSON-8

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

12 mOhm @ 20A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.1W (Ta), 52W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
SP000709730

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3360pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

45nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

6V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Ta), 40A (Tc)